tsv 공정 관련 질문이 있습니다.

Q. tsv 공정 관련 질문이 있습니다.

자자유로워

현재 hbm의 tsv 공정으로 I/O 수가 x1024 이상으로 대폭 늘어나 더 많은 데이터를 훨씬 짧은 경로로 빠르게 주고 받을 수 있다고 알고 있습니다. 1. 이 때 마이크로 범프와 tsv는 1대 1로 매칭이 되는 것인가요? 2. 통로의 수가 1024개라면 tsv도 동일하게 1024개가 있는 것인지 그보다 훨씬 많은 것인지 궁금합니다. 3. tsv 하나가 고장난다면 그 tsv와 연결된 dram을 아예 사용을 못하게 되나요? 아니면 spare가 있어서 전송 경로를 바꿀 수 있다거나 하는 방지책이 있는 것인가요? 4. tsv는 전기도금 방식으로 채운다고 알고 있는데 만약 도금 후 void나 seam과 같은 defect이 발생할 경우 구멍의 깊이가 깊기 때문에 rework이 불가능한가요?

2026.02.08

답변 6

d
dev.jelly삼성전자
코상무 ∙ 채택률 49% ∙
회사
일치
채택된 답변
TSV의 개수는 그것보다 많은 경우가 많습니다
2026.02.10
M
Memory Department삼성전자
코전무 ∙ 채택률 82% ∙
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일치
채택된 답변
지원자님 질문 수준이 꽤 깊습니다~ 공정기술 지원자 기준에서도 TSV를 이 정도로 구조적으로 이해하고 있으면 면접에서 확실히 플러스예요! 너무 이론식으로 말 안 하고, 실제 HBM 구조 기준으로 감 잡히게 풀어서 설명드릴게요~ 먼저 큰 그림부터 보면 HBM에서 TSV는 “데이터 고속 수직 통로”, 마이크로범프는 “칩과 칩을 붙이는 접점” 역할이라고 보시면 가장 이해가 쉽습니다~ 둘이 같이 쓰이지만 1:1 개념은 아닙니다! 마이크로범프와 TSV가 1대1로 매칭되는 구조는 아니에요~ TSV는 실리콘을 관통하는 수직 배선이고, 마이크로범프는 다이와 다이 사이 또는 다이와 인터포저를 연결하는 접합 포인트입니다. 실제 레이아웃에서는 여러 TSV가 상부 redistribution layer를 통해 팬아웃된 다음, 그 신호들이 마이크로범프 어레이로 재배치됩니다~ 그래서 구조적으로는 TSV 다수 → RDL 재배선 → 마이크로범프 배열 이런 흐름입니다! I/O가 x1024라고 해서 TSV가 정확히 1024개라는 뜻도 아닙니다~ 실제 TSV 개수는 보통 I/O 수보다 훨씬 많습니다. 이유가 몇 가지 있어요. 데이터 라인 TSV 말고도 전원/그라운드 TSV가 훨씬 많이 들어가고, 신호 무결성과 IR drop, 열 분산 때문에 전원 TSV를 많이 깝니다. 또 클럭, 제어, 리던던시용 TSV도 포함됩니다~ 그래서 실 TSV 수는 수천 개 단위로 가는 경우가 일반적입니다! TSV 하나가 고장나면 바로 그 DRAM 다이를 못 쓰느냐 하면 그렇게 단순하지는 않습니다~ HBM에는 리던던시 구조가 들어갑니다. 채널 레벨, 비트 레벨 스페어, 리페어 로직이 있고, 테스트 단계에서 불량 TSV/범프 경로를 우회 매핑하는 구조가 있습니다~ 물론 완전 핵심 전원 TSV가 죽으면 치명적일 수는 있지만, 데이터 TSV 일부 불량은 수리 가능한 구조로 설계됩니다. 메모리는 원래부터 repair-friendly 아키텍처가 강합니다! TSV 구리 도금 후 void나 seam defect가 발생하면 현실적으로 리워크는 거의 불가능하다고 보시는 게 맞습니다~ 깊이가 수십 마이크론 이상이고 aspect ratio가 높아서 재가공이 어렵습니다. 그래서 공정에서 처음부터 결함을 안 만들도록 하는 게 핵심입니다. via profile, seed layer 연속성, 첨가제, 교반, 펄스도금 조건, anneal 조건으로 void 억제합니다. 검사도 중간 단계에서 X-ray, SAM, 전기적 체커로 많이 걸러냅니다~ 불량은 리워크보다 선별 스크랩 개념에 가깝습니다! 면접에서 이런 질문이 나오면 지원자님은 이렇게 정리해서 말하면 아주 좋습니다~ TSV는 신호 수직 경로, 마이크로범프는 접합 인터페이스이고 1:1은 아니다~ I/O보다 TSV 수가 더 많고 전원/그라운드/리던던시 포함이다~ 일부 TSV 불량은 리페어 구조가 있다~ 도금 void는 리워크보다 예방이 핵심이다 이런 흐름이면 충분히 깊이 있는 답변으로 보입니다! 지금 준비 방향 아주 좋습니다~ 이런 식으로 구조 + 공정 + 수율 관점까지 같이 보시면 공정기술 면접 대응력 많이 올라갑니다! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
2026.02.09
P
PRO액티브현대트랜시스
코상무 ∙ 채택률 100%
채택된 답변
먼저 채택한번 꼭 부탁드립니다!! HBM TSV 구조는 “IO 수 = TSV 수”로 단순 매칭되진 않습니다. 마이크로범프–TSV는 다대다 구조에 가깝고, 신호용 외에 전원·접지·클록·리던던시 TSV가 따로 있어요. 그래서 x1024 I/O라 해도 TSV는 그보다 훨씬 많습니다. 또 HBM은 수율을 위해 spare TSV와 리맵 구조를 둬서 일부 TSV 불량은 우회 가능합니다. 단, 임계 전원·클록 TSV 불량은 치명적일 수 있어요. TSV 도금 후 발생하는 void·seam은 사실상 rework 불가입니다. 깊이·직경 비가 커서 재도금이 어렵고, 공정 전 liner·seed·도금 균일도 관리로 예방하는 게 핵심입니다.HBM TSV 구조는 “IO 수 = TSV 수”로 단순 매칭되진 않습니다. 마이크로범프–TSV는 다대다 구조에 가깝고, 신호용 외에 전원·접지·클록·리던던시 TSV가 따로 있어요. 그래서 x1024 I/O라 해도 TSV는 그보다 훨씬 많습니다. 또 HBM은 수율을 위해 spare TSV와 리맵 구조를 둬서 일부 TSV 불량은 우회 가능합니다. 단, 임계 전원·클록 TSV 불량은 치명적일 수 있어요. TSV 도금 후 발생하는 void·seam은 사실상 rework 불가입니다. 깊이·직경 비가 커서 재도금이 어렵고, 공정 전 liner·seed·도금 균일도 관리로 예방하는 게 핵심입니다.
2026.02.09
전문상담HL 디앤아이한라
코이사 ∙ 채택률 63%
채택된 답변
안녕하세요, 성실히 답변 드리겠습니다. 채택 바랍니다. HBM TSV 공정 핵심 요약입니다. 1. 매칭 : 마이크로 범프와 TSV는 1:1 매칭이 기본 2. 개수 : 1024개보다 훨씬 많습니다. 3. 방지책 : Spare TSV가 있습니다. 불량 발생시 리던던시 설계를 통해 경로를 변경합니다. 4. Rework : 불가능합니다. 깊은 구멍 안의 Void / Seam을 수정하는 것보다 폐기 후 공정 수율을 높이는 것이 일반적입니다.
2026.02.09
흰
흰수염치킨삼성전자
코전무 ∙ 채택률 58% ∙
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안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 더 미세해서 원래보다 통로가 더 많아져요 신호선 하나에 모든걸 의존하진 않아서 예비라인이 더 있어요! 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^
2026.02.09
프로답변러YTN
코부사장 ∙ 채택률 86%
채택된 답변
멘티님 TSV와 마이크로 범프는 신호 핀 기준으로 1대1 매칭되지만 전원과 접지 및 기계적 강도를 위한 범프까지 포함하면 실제 TSV 개수는 데이터 I/O 수인 1024개보다 훨씬 많습니다. 만약 특정 TSV가 고장 나더라도 칩 전체를 버리는 것이 아니라 예비로 설계된 리페어 라인을 통해 신호를 우회시켜 정상 작동하게 만듭니다. 도금 후 발생한 보이드나 심 같은 결함은 깊은 홀 내부 특성상 재작업이 불가능하여 리페어 범위를 넘어서면 스크랩 처리됩니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!
2026.02.09
AD
반도체
설계팀
대기업 반도체 산업으로 취업하기 위해선, 직관적 해석능력과 사고력이 필요합니다. 핵심 역량과 배운 지식을 취업에 활용하고 싶다면 국비지원 강의를 추천합니다.

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Memory Department삼성전자

코전무 ∙ 채택률 82% ∙

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일치

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지원자님 질문 수준이 꽤 깊습니다~ 공정기술 지원자 기준에서도 TSV를 이 정도로 구조적으로 이해하고 있으면 면접에서 확실히 플러스예요! 너무 이론식으로 말 안 하고, 실제 HBM 구조 기준으로 감 잡히게 풀어서 설명드릴게요~ 먼저 큰 그림부터 보면 HBM에서 TSV는 “데이터 고속 수직 통로”, 마이크로범프는 “칩과 칩을 붙이는 접점” 역할이라고 보시면 가장 이해가 쉽습니다~ 둘이 같이 쓰이지만 1:1 개념은 아닙니다! 마이크로범프와 TSV가 1대1로 매칭되는 구조는 아니에요~ TSV는 실리콘을 관통하는 수직 배선이고, 마이크로범프는 다이와 다이 사이 또는 다이와 인터포저를 연결하는 접합 포인트입니다. 실제 레이아웃에서는 여러 TSV가 상부 redistribution layer를 통해 팬아웃된 다음, 그 신호들이 마이크로범프 어레이로 재배치됩니다~ 그래서 구조적으로는 TSV 다수 → RDL 재배선 → 마이크로범프 배열 이런 흐름입니다! I/O가 x1024라고 해서 TSV가 정확히 1024개라는 뜻도 아닙니다~ 실제 TSV 개수는 보통 I/O 수보다 훨씬 많습니다. 이유가 몇 가지 있어요. 데이터 라인 TSV 말고도 전원/그라운드 TSV가 훨씬 많이 들어가고, 신호 무결성과 IR drop, 열 분산 때문에 전원 TSV를 많이 깝니다. 또 클럭, 제어, 리던던시용 TSV도 포함됩니다~ 그래서 실 TSV 수는 수천 개 단위로 가는 경우가 일반적입니다! TSV 하나가 고장나면 바로 그 DRAM 다이를 못 쓰느냐 하면 그렇게 단순하지는 않습니다~ HBM에는 리던던시 구조가 들어갑니다. 채널 레벨, 비트 레벨 스페어, 리페어 로직이 있고, 테스트 단계에서 불량 TSV/범프 경로를 우회 매핑하는 구조가 있습니다~ 물론 완전 핵심 전원 TSV가 죽으면 치명적일 수는 있지만, 데이터 TSV 일부 불량은 수리 가능한 구조로 설계됩니다. 메모리는 원래부터 repair-friendly 아키텍처가 강합니다! TSV 구리 도금 후 void나 seam defect가 발생하면 현실적으로 리워크는 거의 불가능하다고 보시는 게 맞습니다~ 깊이가 수십 마이크론 이상이고 aspect ratio가 높아서 재가공이 어렵습니다. 그래서 공정에서 처음부터 결함을 안 만들도록 하는 게 핵심입니다. via profile, seed layer 연속성, 첨가제, 교반, 펄스도금 조건, anneal 조건으로 void 억제합니다. 검사도 중간 단계에서 X-ray, SAM, 전기적 체커로 많이 걸러냅니다~ 불량은 리워크보다 선별 스크랩 개념에 가깝습니다! 면접에서 이런 질문이 나오면 지원자님은 이렇게 정리해서 말하면 아주 좋습니다~ TSV는 신호 수직 경로, 마이크로범프는 접합 인터페이스이고 1:1은 아니다~ I/O보다 TSV 수가 더 많고 전원/그라운드/리던던시 포함이다~ 일부 TSV 불량은 리페어 구조가 있다~ 도금 void는 리워크보다 예방이 핵심이다 이런 흐름이면 충분히 깊이 있는 답변으로 보입니다! 지금 준비 방향 아주 좋습니다~ 이런 식으로 구조 + 공정 + 수율 관점까지 같이 보시면 공정기술 면접 대응력 많이 올라갑니다! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!

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